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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Inmos + 256MB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Inmos + 256MB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
Inmos + 256MB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Razões a considerar
Inmos + 256MB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
54
Por volta de -80% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.5
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.1
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
16800
12800
Por volta de 1.31 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Inmos + 256MB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
30
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
11.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
9.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
16800
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
no data
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
2318
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Inmos + 256MB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
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