RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
INTENSO 4GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs INTENSO 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
INTENSO 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
INTENSO 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
54
Por volta de -50% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.1
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.3
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
INTENSO 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
36
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
12.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
9.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
2061
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
INTENSO 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
INTENSO 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link