RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
54
Por volta de -80% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.3
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
30
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
11.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
3086
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link