RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
54
Por volta de -69% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.6
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.7
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
32
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
20.6
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
14.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
3393
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link