RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
54
Por volta de -125% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.4
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.2
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
24
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
8.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
2438
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link