RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
54
Por volta de -93% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.1
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
28
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
13.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
2833
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link