RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
54
Por volta de -59% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.1
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
34
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
19.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
13.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
3341
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link