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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
54
71
Por volta de 24% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
6.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
9.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
71
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
6.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
1616
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
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Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB Comparações de RAM
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
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Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
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