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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
54
59
Por volta de 8% menor latência
Razões a considerar
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.7
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
59
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
9.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
2181
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
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