RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
7.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
50
54
Por volta de -8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.2
9.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
50
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
10.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
7.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
2064
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Mushkin 991586 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link