RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
54
Por volta de -59% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
34
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
10.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
2783
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link