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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Razões a considerar
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
54
Por volta de -42% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.9
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.9
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
38
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
13.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
10.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
2581
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
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