RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
54
Por volta de -86% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.8
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.1
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
29
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
17.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
14.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
3434
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link