RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
54
Por volta de -69% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.9
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
32
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
11.9
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
2853
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link