RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
54
67
Por volta de 19% menor latência
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
9.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
54
67
Velocidade de leitura, GB/s
9.2
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
9.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2105
1879
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Comparações de RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Nanya Technology NT16GC72C4NB0NL-CG 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link