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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
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Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
63
Por volta de -186% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.3
8.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.2
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
22
Velocidade de leitura, GB/s
8.1
20.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
17.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1945
4116
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
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