RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Pontuação geral
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
63
Por volta de -80% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11
8.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
35
Velocidade de leitura, GB/s
8.1
11.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
8.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1945
2246
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link