RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Comparar
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
63
Por volta de -85% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
8.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.4
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
63
34
Velocidade de leitura, GB/s
8.1
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
12.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1945
2902
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70DB0-YK0 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link