RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Comparar
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB vs Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Pontuação geral
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
66
72
Por volta de 8% menor latência
Razões a considerar
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.6
7.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.2
6.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
72
Velocidade de leitura, GB/s
7.3
16.6
Velocidade de escrita, GB/s
6.6
8.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1760
1731
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB Comparações de RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link