RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Comparar
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Pontuação geral
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
51
Por volta de -155% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.1
10.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.3
7.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
20
Velocidade de leitura, GB/s
10.2
17.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.6
14.3
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2049
3088
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB Comparações de RAM
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link