RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Comparar
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
51
Por volta de -46% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.3
10.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.0
7.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
35
Velocidade de leitura, GB/s
10.2
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.6
10.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2049
2559
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB Comparações de RAM
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link