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Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Comparar
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Pontuação geral
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
51
77
Por volta de 34% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.6
6.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.6
10.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
77
Velocidade de leitura, GB/s
10.2
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.6
6.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2049
1549
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB Comparações de RAM
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
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