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Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Comparar
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.6
6.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
51
Por volta de -89% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.3
10.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
27
Velocidade de leitura, GB/s
10.2
12.3
Velocidade de escrita, GB/s
7.6
6.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2049
1732
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB Comparações de RAM
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Legend Silicon Corp. ] ] ] ]E6 ] ] ]00 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
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