RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
49
Por volta de -53% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
10
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.0
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
32
Velocidade de leitura, GB/s
10.0
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
14.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2116
3061
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB Comparações de RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link