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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
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规格
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
49
左右 -53% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.0
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
32
读取速度,GB/s
10.0
14.9
写入速度,GB/s
8.2
14.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2116
3061
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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