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Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
比较
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB vs G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
总分
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
总分
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
65
左右 54% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
12.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.2
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
65
读取速度,GB/s
12.5
16.1
写入速度,GB/s
7.8
8.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1917
1836
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB RAM的比较
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AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
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