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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
49
Por volta de -123% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.4
10
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.2
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
22
Velocidade de leitura, GB/s
10.0
18.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
13.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2116
3178
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
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