RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB против Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
49
Около -123% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.4
10
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
22
Скорость чтения, Гб/сек
10.0
18.4
Скорость записи, Гб/сек
8.2
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2116
3178
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link