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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Razões a considerar
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
49
Por volta de -88% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.7
10
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.2
8.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
26
Velocidade de leitura, GB/s
10.0
13.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
10.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2116
2594
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
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