RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB против Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
49
Около -88% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.7
10
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.2
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
26
Скорость чтения, Гб/сек
10.0
13.7
Скорость записи, Гб/сек
8.2
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2116
2594
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link