RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
13.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
96
Около -269% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.2
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
26
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
13.7
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
2594
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston K821PJ-MID 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link