G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

Средняя оценка

SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

Причины выбрать
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

36 59

Около 39% меньшая задержка
Выше скорость записи

11.0 7.6

Среднее значение в тестах

SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB

Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

17.3 16.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

36 59
Скорость чтения, Гб/сек

16.4 17.3
Скорость записи, Гб/сек

11.0 7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2729 1954

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905403-170.A00LF 2GB

Kingston 9905403-170.A00LF 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB

модули RAM

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB

модули RAM

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Kingston HX432C15PB3/16G 16GB

Kingston HX432C15PB3/16G 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB

Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB

модули RAM

Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB

Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB

G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB

модули RAM

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB

модули RAM

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB

модули RAM

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB

Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB

модули RAM

Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB

Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB

Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB

Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB

Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB

модули RAM

Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB

Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB

Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB

модули RAM