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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
比较
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
总分
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
59
左右 39% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.0
7.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.3
16.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
59
读取速度,GB/s
16.4
17.3
写入速度,GB/s
11.0
7.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2729
1954
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
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