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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs AMD R948G2806U2S 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Pontuação geral
AMD R948G2806U2S 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Razões a considerar
AMD R948G2806U2S 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
27
Por volta de -8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.7
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.2
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
25
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
10.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2057
2802
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
AMD R948G2806U2S 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
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