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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Pontuação geral
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Razões a considerar
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
27
Por volta de -13% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.6
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.8
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
12800
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
24
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
18.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
15.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
25600
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2057
3800
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparações de RAM
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Mushkin 994052 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
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