RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
29
Por volta de 7% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
29
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
12.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2057
3140
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905428-196.A00LF 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link