RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
29
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
17.0
Скорость записи, Гб/сек
7.3
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
3140
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link