RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
30
Por volta de 10% menor latência
Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.9
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.0
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
30
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
11.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
10.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2057
2475
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link