RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Comparar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Pontuação geral
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,123.3
14.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
59
Por volta de -97% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
59
30
Velocidade de leitura, GB/s
4,833.8
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,123.3
14.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
731
3546
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link