Comparação RAM Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Pontuação geral

Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

28 31

Por volta de 10% menor latência

Razões a considerar
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

20.5 12.6

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

15.5 8.3

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

25600 12800

Por volta de 2 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2112 3649

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns