Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB

Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    28 left arrow 31
    Wokół strony 10% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    20.5 left arrow 12.6
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    15.5 left arrow 8.3
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    25600 left arrow 12800
    Wokół strony 2 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    28 left arrow 31
  • Prędkość odczytu, GB/s
    12.6 left arrow 20.5
  • Prędkość zapisu, GB/s
    8.3 left arrow 15.5
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • Opis
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • Taktowanie / szybkość zegara
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2112 left arrow 3649
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania