RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Compara
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Puntuación global
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Puntuación global
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
31
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.5
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.5
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
31
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
20.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2112
3649
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Kingston 9905403-519.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link