Confronto tra le RAM Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Punteggio complessivo

Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

28 31

Intorno 10% latenza inferiore

Motivi da considerare
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

20.5 12.6

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

15.5 8.3

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

25600 12800

Intorno 2 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2112 3649

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns