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Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
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Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
総合得点
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
総合得点
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
31
周辺 10% 低遅延
考慮すべき理由
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
20.5
12.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
15.5
8.3
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
12800
周辺 2 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
31
読み出し速度、GB/s
12.6
20.5
書き込み速度、GB/秒
8.3
15.5
メモリ帯域幅、mbps
12800
25600
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2112
3649
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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