RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Pontuação geral
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
34
Por volta de 21% menor latência
Razões a considerar
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.7
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
34
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
12.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2057
2552
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link