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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
34
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
34
读取速度,GB/s
11.8
14.7
写入速度,GB/s
7.3
12.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2552
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
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