RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
27
Por volta de -42% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.7
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.4
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
19
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
20.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
16.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2057
3724
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Elpida EBJ10UE8BDF0-DJ-F 1GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link