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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
27
En -42% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.7
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.4
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
19
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
20.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
16.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
3724
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
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Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
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