RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
62
66
En 6% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.4
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
66
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
12.0
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
1909
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link