Comparação RAM Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB

Pontuação geral

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

27 40

Por volta de 33% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

11.8 9.1

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

7.3 6.9

Valor médio nos testes

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB

Maior largura de banda de memória, mbps

19200 12800

Por volta de 1.5 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2057 2031

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns